x日立首席技术官John Best,这种读写头将在2011年透露使用,它可以让日立继续缩小硬盘体积。目前,高端硬盘的容量已经达到1TB。
利用所谓的“电流正交平面垂直巨磁阻”(CPP-GMR)读写头,硬盘厂商可以在2011年推出4TB的台式机硬盘以及1TB的笔记本电脑硬盘。
CPP-GMR读写头从根本上改变了硬盘读写头的架构。目前的硬盘配备的是“隧道磁阻”(Tunnel magnetoresistance,TMR)读写头,其中,一个绝缘层将两个磁层分隔开来。
随着硬盘体积的缩小,读写头的体积也需要缩小。读写头的缩小会增加电阻,电阻增加又导致“电噪”(electrical noise ),从而降低读写头的性能。一旦硬盘密度超过500GB每平方英寸面积,TMR读写头就会工作不稳定。(目前高端硬盘的密度为200GB每平方英寸面积大小。)
在CPP-GMR读写头当中,技术人员拿掉了绝缘体,取而代之的是一个传导器,通常是铜质材料。和现有电流并行运行模式不同,CPP-GMR读写头总的电流是垂直运行的,这种结构消除了电阻,从而让读写头的体积变得更小。
目前的硬盘读写头可以读取70纳米大小磁道上的内容,CPP-GMR读写头硬盘可以读取50纳米大小磁道上的媒体。据悉,50纳米磁道硬盘将于2009年问世,30纳米磁道硬盘将在2011年上市。
在TMR磁头之前,业内使用的是GMR磁头。
本月初,法国人Albert Fert和德国人Peter Gruenberg因为在1998年发现了巨磁阻现象而赢得了本年度诺贝尔物理学奖。
首个商用CPP-GMR读写头将在2009年或2010年上市。
日立将在下周召开的东京“垂直磁记录大会”上公布CPP-GMR技术的更多细节