德国工程师和物理学家发明了一种先进的RAM 系统，这一技术被称为磁阻式随机存取记忆体（MRAM），号称更快和更有效率。
这种存储器利用内置小磁铁的磁性方向来确定二进制中的0 和1 ，因为旁边一个固定磁铁的作用下，磁铁的指向可以被翻转，因此可以实现数据的存储和变化。
他们宣称这一技术是RAM 理论的重大进步，可以几乎达到理论极限速度，比目前一般的内存快10倍，并且非常省电。
研究人员透露他们正在推动这一技术进步，进一步减少所需的电流水平，以使其兼容CMOS晶体管。
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